半導(dǎo)體級SiC合成原料6N超高純度石墨粉 西格里V2298 耐高溫導(dǎo)電
產(chǎn)品概述
西格里6N超高純度石墨粉是專為第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）單晶生長研發(fā)的核心原料，純度達(dá)99.9999%（6N級），嚴(yán)格符合半導(dǎo)體行業(yè)對痕量雜質(zhì)（硼、鋁、釩等）的ppm級控制要求。本產(chǎn)品采用德國西格里集團(tuán)專利提純工藝，結(jié)合高溫?zé)峄瘜W(xué)處理技術(shù)，確保納米級顆粒均勻性（D50≤1μm），適用于物相傳輸法（PVT）生長高質(zhì)量SiC晶體，滿足新能源汽車、5G通信、光伏等高端領(lǐng)域需求[[3]。
核心特性
1. 超高純度與穩(wěn)定性
通過2700℃高溫提純及多級化學(xué)純化工藝，金屬雜質(zhì)含量低于0.1ppm，氮濃度≤5ppb，有效避免SiC晶體電學(xué)性能劣化，為制備半絕緣襯底提供可靠保障[[7]。
2. 耐極端高溫環(huán)境
石墨粉在2000~2500℃的SiC晶體生長爐中表現(xiàn)優(yōu)異，熱膨脹系數(shù)低至4.5×10??/℃，可長期耐受高溫熔融硅蒸汽環(huán)境，確保晶體生長過程穩(wěn)定性[[6]。
3. 優(yōu)異導(dǎo)電與熱導(dǎo)性能
電阻率≤15μΩ·m，熱導(dǎo)率高達(dá)120W/(m·K)，適配高頻功率器件對材料導(dǎo)電和散熱需求，廣泛應(yīng)用于SiC外延片、MOSFET及IGBT芯片制造[[5]。
應(yīng)用場景
- SiC單晶襯底合成：作為PVT法核心碳源，與高純硅粉反應(yīng)生成SiC微粉，用于4H-SiC導(dǎo)電型及半絕緣型晶圓生產(chǎn)[[4]。
- 半導(dǎo)體設(shè)備關(guān)鍵部件：用于制造長晶爐石墨坩堝、加熱器等耐高溫組件，保障設(shè)備在極端工況下的使用壽命[[8]。
工藝與質(zhì)量認(rèn)證
本產(chǎn)品通過ISO 9001質(zhì)量管理體系認(rèn)證，符合《碳化硅單晶用高純石墨粉》行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（碳含量≥99.9996%），支持定制粒徑（800~15000目）及微量元素控制，滿足客戶差異化需求。
“現(xiàn)貨直發(fā)/支持試樣”；針對科研客戶，可補(bǔ)充“提供XRD、GDMS全項(xiàng)檢測報(bào)告”等增值服務(wù)。
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