隨著第三代半導體行業的快速發展，碳化硅（SiC）等材料的制造對高溫、高純度材料的需求不斷增加。我公司推出的半導體用石墨紙及石墨箔，專為滿足半導體制造中的高溫、隔熱、密封等需求而設計，具有的導熱性、導電性和化學穩定性；
產品特性
超高純度：石墨紙和石墨箔采用高純石墨材料，純度高，雜質含量極低，確保在高溫環境下不污染半導體材料。
的導熱性：石墨紙和石墨箔具有優異的導熱性能，能夠快速傳導熱量，確保工藝過程的性和穩定性。
耐高溫性：可在高達3000°C的高溫環境下使用，適用于惰性氣體或真空環境。
柔性與可定制性：石墨紙和石墨箔具有類似紙張的柔軟性和可塑性，可根據客戶需求定制各種尺寸和形狀。
化學穩定性：在高溫和高真空環境下表現出色的抗腐蝕性和抗氧化性。
應用領域
半導體制造：用于化學氣相沉積（CVD）、物相沉積（PVD）、離子注入等工藝中的隔熱材料、柔性層和密封材料。
晶體生長：作為保溫筒、隔熱材料和反射層，確保晶體生長過程的穩定性。
高溫設備：適用于高溫爐、熱場系統中的隔熱和密封部件。