冷等靜壓法
工藝流程：將混合粉末裝入柔性模具，在室溫下通過高壓（100-300兆帕）壓制成型，隨后在較低溫度下燒結固化。
優點：工藝相對簡單，生產成本較低，適合小批量或定制化生產。
缺點：靶材密度和均勻性稍遜，可能在高功率濺射中表現不夠穩定。
適用場景：中低端電子產品或實驗室研發用靶材。
這兩種方法各有千秋，制造商需要根據具體需求權衡成本與性能。
制備完成后，ITO靶材在實際應用中還會遇到一些問題：
濺射不均勻：如果靶材內部存在微小缺陷或成分偏差，濺射過程中可能出現局部過熱，導致薄膜厚度不一致。
靶材破裂：在高功率濺射時，靶材承受的熱應力可能超出其極限，造成破裂，進而影響生產線的連續性。
資源限制：ITO靶材依賴銦這種稀有金屬，而銦的全球儲量有限，價格波動較大。這不僅推高了成本，也促使業界尋找替代方案。
ITO靶材，即銦錫氧化物靶材，主要由氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）組成，其中氧化銦占比高達90%。ITO靶材因其優異的導電性和高透光性，成為液晶顯示器（LCD）、觸摸屏及太陽能電池等光電設備的理想材料。其晶體結構穩定，電導率高，確保了設備的運行。
銦回收面臨的主要挑戰包括銦在電子設備中的低濃度和與其他金屬的合金化。傳統的回收方法難以有效提取，需要采用濕法冶金或火法冶金等先進技術。同時，回收過程中需確保電子廢物流的分類和處理，以減少污染物對回收過程的影響。
