制備完成后，ITO靶材在實際應用中還會遇到一些問題：
濺射不均勻：如果靶材內部存在微小缺陷或成分偏差，濺射過程中可能出現局部過熱，導致薄膜厚度不一致。
靶材破裂：在高功率濺射時，靶材承受的熱應力可能超出其極限，造成破裂，進而影響生產線的連續性。
資源限制：ITO靶材依賴銦這種稀有金屬，而銦的全球儲量有限，價格波動較大。這不僅推高了成本，也促使業界尋找替代方案。
銦靶材主要由金屬銦制成，具有質軟、延展性好和導電性強的特點。作為稀有金屬，銦在自然界的含量稀少，但其獨特的物理和化學性質使其成為眾多高科技產品的核心組件。銦靶材廣泛應用于航空航天、電子工業等領域，是制造高性能電子元器件的關鍵材料。
ITO靶材，即銦錫氧化物靶材，主要由氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）組成，其中氧化銦占比高達90%。ITO靶材因其優異的導電性和高透光性，成為液晶顯示器（LCD）、觸摸屏及太陽能電池等光電設備的理想材料。其晶體結構穩定，電導率高，確保了設備的運行。
氧化銦是一種寬禁帶半導體，具有良好的光學透明性，而氧化錫的引入則增強了材料的導電性。這種成分結構使得ITO材料在保證高透光率的同時也具有低電阻率，兼具光學和電學性能。ITO靶材的這一獨特特性使其成為透明導電膜的主流材料，尤其適用于要求高透明度的光電設備和顯示技術。
