先進(jìn)封裝技術(shù)
應(yīng)用：在芯片倒裝焊（Flip Chip）中作為焊料或熱界面材料，實(shí)現(xiàn)芯片與基板的電氣連接和熱傳導(dǎo)。
特點(diǎn)：低熔點(diǎn)（156.6℃）和高可靠性，適用于精密電子器件的低溫封裝。
存儲環(huán)境控制
溫濕度：存儲于干燥、恒溫環(huán)境（溫度 15~25℃，濕度≤40% RH），避免銦靶吸潮氧化（銦在潮濕空氣中易生成 In?O?薄膜，影響濺射效率）。
防塵防潮：用鋁箔或真空袋密封包裝，存放于潔凈柜中，防止灰塵附著或與其他化學(xué)物質(zhì)接觸。
濺射氣體控制
氣體純度：使用高純氬氣（99.999% 以上），避免氧氣、水汽混入導(dǎo)致銦靶氧化（氧化銦導(dǎo)電性下降，易形成電弧放電）。
氣壓調(diào)節(jié)：
直流濺射（DC）：氣壓通常為 0.1~10 Pa，低氣壓下濺射速率高但薄膜致密度低；高氣壓下薄膜均勻性好但沉積速率慢。
射頻濺射（RF）：適用于絕緣基底，氣壓可略高于直流濺射，需根據(jù)薄膜厚度要求動態(tài)調(diào)整。
功率與溫度管理
濺射功率：
銦的濺射閾值較低（約 10 eV），起始功率不宜過高（建議從 50 W 逐步遞增），避免瞬間過熱導(dǎo)致靶材熔融或飛濺（銦熔點(diǎn)僅 156.6℃，過熱易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影響均勻性）。
直流濺射功率密度通常為 1~5 W/cm2，射頻濺射可適當(dāng)提高至 5~10 W/cm2。
靶材冷卻：
采用水冷靶架（水溫控制在 15~25℃），確保濺射過程中靶材溫度低于 80℃（高溫會導(dǎo)致銦原子擴(kuò)散加劇，影響薄膜結(jié)晶質(zhì)量）。
定期檢查冷卻水路是否通暢，避免因散熱不良導(dǎo)致靶材變形或脫靶。
