u為德國英飛凌公司定制的tq、 Qr and dv/dt檢測設(shè)備 u該測試設(shè)備適用于高電壓,大電流的半導體器件測試, 是**上同類產(chǎn)品的**高水平 。 u該設(shè)備可以測試晶閘管、 整流管關(guān)斷時間tq、反向恢復時間Qr、電壓上升率dv/dt、自動熱穩(wěn)態(tài)壓力實具。 u晶閘管、 整流管是**傳統(tǒng)、 **常見的電力半導體器件, 我公司研制開發(fā)的相關(guān)檢測及可靠性設(shè)備廣泛用于電力電子器件的生產(chǎn)企業(yè)、鐵路、 SVC閥體生產(chǎn)廠、高壓工程、地鐵等行業(yè)。 u典型設(shè)備包括: 阻斷特性測試臺、 晶閘管觸發(fā)特性測試臺、 全自動電力半導體器件靜態(tài)、 動態(tài)綜合參數(shù)測試臺、 反向恢復電荷測試臺、晶閘管開通時間、關(guān)斷時間、電流上升率、電壓上升率測試臺,高溫阻斷試驗臺、自動熱穩(wěn)態(tài)壓力實具。
參數(shù)及范圍l Parametersand scope
晶閘管、整流管器件靜態(tài)測試臺主要參數(shù)及測試范圍
測試項目
伏安特性測試
晶閘管門極特性測試
晶閘管維持特性測試
晶閘管筆住電流測試
通態(tài)峰値壓降測試
主要參數(shù)及范圍
峰值電壓:500~15kV
漏電流: 0.1 ~1000mA
門極電壓VGT:0.2~ 5V
門極電流lGT:1mA~1A
維持電流HI:
1mA~500mA
擎住電流IL:
2mA~ 1 000mA
峰値電流ITM: 500A~ 10kA
峰值壓降VTM: 0.1 ~10V
晶閘管、整流管器件動態(tài)測試臺主要參數(shù)及測試范圍
測試項目
電壓上升率dv/dt測試
電流上升率di/dt測試
晶間管關(guān)斷時間測試Tq
晶閘管恢復特性測試
主要參數(shù)及范圍
斷態(tài)電壓VD: 100~5000V
dv/dt: 100-2500V/us
通態(tài)電流: 10~5000A
di/dt: 10-2000A/us
通態(tài)電流lT: 200~4000A(4ms）
-di/dt:60A/uS
斷態(tài)電壓VD: 100-4500V
dv/dt: 100-2000V/us
反向電壓VRR:200V
-di/dt:60A/uS
正向電流lT:200~4000A
脈寬: 1000~4000us
反向,陝復電流lrr: 500A
反向申壓VRR:200V
-di/dt: 60A/Us
恢復電荷Qrr: 100~25000uC