在化學上，ITO 是Indium Tin Oxides的縮寫。 作為納米銦錫金屬氧化物，具有很好的導電性和透明性，可以切斷對人體有害的電子輻射、紫外線及遠紅外線。因此，銦錫氧化物通常噴涂在玻璃、塑料及電子顯示屏上，用作透明導電薄膜，同時減少對人體有害的電子輻射及紫外、紅外。 ITO 是一種N型氧化物半導體-氧化銦錫,ITO薄膜即銦錫氧化物半導體透明導電膜，通常有兩個性能指標：電阻率和透光率。 在氧化物導電膜中，以摻Sn的In2O3(ITO)膜的透過率和導電性能，而且容易在酸液中蝕刻出細微的圖形，其中透光率達90%以上。ITO中其透光率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例來控制，通常SnO2:In2O3=1:9。 目前ITO膜層之電阻率一般在5*10-4左右，可達5*10-5，已接近金屬的電阻率，在實際應用時，常以方塊電阻來表征ITO的導電性能，其透過率則可達90%以上，ITO膜之透過率和阻值分別由In2O3與Sn2O3之比例控制，增加氧化錮比例則可提高ITO之透過率，通常Sn2O3： In2O3=1：9，因為氧化錫之厚度超過200Å時，通常透明度已不夠好---雖然導電性能很好。 如用是電流平行流經ITO脫層的情形，其中d為膜厚，I為電流，L1為在電流方向上膜厚層長度，L2為在垂直于電流方向上的膜層長主，當電流流過方形導電膜時，該層電阻R=PL1/dL2式中P為導電膜 之電阻率，對于給定膜層，P和d可視為定值，P/d，當L1=L2時，怒火正方形膜層，無論方塊大小如何，其電阻均為定值P/d，此即方塊電阻定義： R=P/d，式中R單位為：歐姆/（Ω/），由此可所出方塊電阻與IOT膜層電阻率P和ITO膜厚d有關且ITO膜阻值越低，膜厚越大。 目前在STN液晶顯示屏中所用ITO玻璃，其R可達10Ω/左右，膜厚為100-200um，而一般低檔TN產品的ITO玻璃R為100-300Ω/，膜厚為20-30um。
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